【时时彩大小计划】带宽不再是瓶颈 HMC内存技术解析

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速度不再是瓶颈 HMC内存技术解析

  • 2013-10-16 12:17:22
  • 类型:原创
  • 来源:电脑报
  • 报纸编辑:王宇
  • 作者:

【电脑报在线】要提升内存性能,传统的做法是通过提升频率、增加通道来实现,但内存速度时常成为瓶颈。与此同时,智能手机和平板电脑的快速发展也对内存模块的能耗与体积有更高的要求,有有哪些设备都时需内处在容量更大的同时体积更小就让更节能。就让,内存技术到了需进一步革新的后后 了,为此,美光、三星开发出了另三个 全新架构的HMC内存。

速度比DDR3提升要花费12倍

传输每比特数据的能耗比DDR3要低70%

  要提升内存性能,传统的做法是通过提升频率、增加通道来实现,但内存速度时常成为瓶颈。与此同时,智能手机和平板电脑的快速发展也对内存模块的能耗与体积有更高的要求,有有哪些设备都时需内处在容量更大的同时体积更小就让更节能。就让,内存技术到了需进一步革新的后后 了,为此,美光、三星开发出了另三个 全新架构的HMC内存。

3D堆叠风吹到内存领域

  在芯片制造领域,3D堆叠技术正在大行其道,从英特尔的3D三栅极晶体管,到三星3D垂直堆叠型价值形式NAND闪存芯片(3D V-NAND),如今内存领域也跳出了类似的多层堆叠产品——HMC(Hybrid Memory Cube)内存。

  HMC内存的基本理念是通过特殊的半导体工艺,把多个DRAM芯片层层堆叠在同时。内存的实物就像建高楼一样,由一层层DRAM晶圆芯片(每另三个 DRAM晶圆芯片着实还能不能看成另三个 这么 进行封装的内存芯片)堆叠起来,最终组成另三个 大容量的内存“芯片”。就让,HMC也被称“混合存储立方体”。值得一提的是,好的反义词采用DRAM晶圆芯片,是肯能堆叠工艺要求较高,肯能以芯片对芯片的堆叠方式将耗费极大时间与成本,就让HMC采用晶圆对晶圆的堆叠法类似更便捷和节约成本的方式。

  当然,芯片实物的DRAM并有的是简单的堆叠起来,这底下带有 着从高层向低层穿孔以连接电极的蚀刻技术,以及将有有哪些DRAM晶圆芯片垂直围绕在各层板面上的门极价值形式技术等一系列独特并有突破性的工艺技术。

HMC内存的实物价值形式

本文出自2013-10-14出版的《电脑报》2013年第40期 E.硬件DIY (网站编辑:pcw2013)

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